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型号 SI7949DP-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC
SI7949DP-T1-GE3 PDF
代理商 SI7949DP-T1-GE3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 64 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8 Dual
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI7949DP-T1-GE3TR
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